光通信研究

2017, No.199(01) 34-36+60

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半导体激光器的仿真分析
Simulation and Analysis of ZnMgO/ZnO Ultraviolet DFB Semiconductor Laser

沈瑞;胡芳仁;

摘要(Abstract):

根据TMM(传输矩阵理论),对采用ZnMgO/ZnO为工作物质的紫外波段DFB(分布反馈)半导体激光器的结构进行设计与仿真。当占空比为0.5,光栅周期为92.5nm,光栅高度为65nm时,得到了364.8nm出射波长。通过改变有源层的厚度,分析了不同有源层厚度时激光器阈值电流与输出功率的关系。仿真结果表明,有源层太厚会减弱对载流子的限制作用,使阈值电流增大;而有源层太薄时,波导层对光子的限制效果减弱,导致损耗增大,功率下降,阈值电流增大。所以合理选取有源层厚度可改善DFB激光器的电流功率特性。

关键词(KeyWords): 分布反馈半导体激光器;氧化镁锌/氧化锌;布拉格光栅;紫外波段

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(61274121,61574080);; 江苏省自然科学基金资助项目(BK2012829);; 南京邮电大学人才引进项目(NY212007)

作者(Author): 沈瑞;胡芳仁;

Email:

DOI:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享